拜登政府为强化美国本土半导体优势,近期祭出全面出口管制措施,追杀中国大陆芯片业。韩国机构调查,美国半导体竞争力居首位,而韩国虽拥有內存的高市占率,但整体竞争力排名相对落后,输给中国台湾、日本和中国大陆,在列入调查的六个国家或地区中,只排名第五。
韩媒中央日报报导,韩国产业经贸研究院(KIET)发布「半导体产业价值链竞争力诊断和政策方向」的调查报告,内容提到,韩国在內存市场居领导地位,但在半导体综合竞争力却居于劣势,在六个列入调查国家中,只排名第五位,落后台湾、日本、中国大陆。
半导体总合竞争力排名,美国还是拿下第一、为96分,而二到五名依序为中国台湾79分、日本78分、中国74分、韩国71分、欧盟66分。
在所有产品细项中,美国系统半导体竞争力高达99分,內存91分也很优,所有产品调查都具有最高水准的竞争力。
台湾內存竞争力仅69分略逊一筹,但系统半导体竞争力高达85分。
韩国內存竞争力87分被评为极具竞争力,不过系统半导体竞争力仅63分,在评比的六个国家区域中,敬陪末座。
报告中强调,在晶圆代工领域,韩国必须透过活化代工企业和IC设计业者交流,来促进成长和需求,进而扩大市场。在制造设备和材料领域,近期南韩国产化比重虽逐渐攀高,但需藉由半导体企业间合作,催生国际化的设备、材料公司。
韩国全国经济人联合会(FKI)上周公布分析报告指出,1~9月全球市值前100大的半导体企业,中国大陆囊括42家,逾4成比重称霸,美国有28家入榜、中国台湾10家、日本7家,而半导体强国韩国只有3家入列,即三星、SK Hynix与SK Square。
而市值排名来看,三星从4年前的第一掉至第三,台积电则从先前老三进级老大宝座。
三星4奈米良率低落 S23旗舰机改采其他款
韩国科技大厂三星电子(Samsung)4奈米晶圆代工良率不高,无法解决性能及过热问题,其下一代Exynos处理器将改以5奈米制程生产,且改用于中阶机种,而Galaxy S23新旗舰机则采高通委请台积电以4奈米晶圆代工的Snapdragon 8 Gen 2应用处理器。
韩媒The Elec报导,三星Exynos处理器采用4奈米和5奈米制程,但由于4奈米的良率非常低落,性能和过热的问题仍然无法克服,因此三星计划未来预计推出的Exynos 2300将采用5奈米制程。
报导指出,高通Snapdragon 8 Gen 2应用处理器采用台积电4奈米制程,与5奈米的Exynos 2300相比,整体性能更上一层楼。据消息人士透露,因此三星不得不选择Snapdragon 8 Gen 2作为S23的处理器,而Exynos 2300则用于中阶机种。
另有消息人士指出,三星认为4奈米只是5奈米过渡3奈米的制程,投入的资源可能很少,但该人士补充,殊不知客户对4奈米的需求却高于预期。
三星芯片部门主管庆桂显(Kyung Kye-hyun)曾于9月承认,在4奈米与5奈米进度和良率方面,都双双落后竞争对手台积电。