公司成立于2001年，并于2010年在深圳证券交易所创业板上市（股票简称：英唐智控，股票代码：300131），公司总部位于深圳市宝安区海纳百川总部大厦，主要从事电子元器件分销、芯片研发、设计及制造等业务，在全球四个国家或地区设立有22个分公司或子公司，是中国领先的半导体元器件综合解决方案供应商之一。
公司的发展历程：
2015年前主要从事智能控制器、智能家居等产品的研发、生产及销售。
2015年公司先后完成并购华商龙、海威思、柏健等从事电子元器件分销的核心企业成为行业龙头；同时控股了多年从事企业管理信息系统研发的优软科技。公司拥有自己的MES、WMS、ERP、OA和CRM等UAS软件系统支撑及投后整合的平台。目前已有200多家集团公司和企业使用我们的UAS系统。
自2019年开启向上游半导体芯片领域战略转型以来，公司逐步确立了以电子元器件渠道分销为基础，半导体设计与制造为核心的发展战略，并致力于成为半导体设计、制造及电子元器件分销的行业标杆。
历经20载磨砺，秉承诚信、专注、创新、共赢的公司价值观，公司凭借资源、团队、资金以及流程管理上的优势，与时俱进、适时调整战略并稳步发展，近年来，公司持续推进内生加外延的融合发展，公司凭借丰富的技术型和资源型产品线，实现分销业务的集聚化、专业化以及向上游半导体设计开发领域转型升级的战略方向。与全球知名或国内技术领先的半导体、芯片巨头厂商松下、罗姆、新思、三星、英飞凌、矽力杰、三垦、优北罗、瑞芯微、汇顶、移远、安费诺等展开了深入而广泛的代理及技术合作，总共代理产品线近200条。由此英唐集团凭借上游强大的产品线资源及强大的研发能力，为客户提供优质的代理分销及基于二次技术开发的整体方案解决服务，在消费电子、汽车、家电、通信、安防、照明以及互联网等方面积累了诸如比亚迪、特斯拉、宁德时代、飞利浦、小米、OPPO\VIVO、格力、美的及海康威视等丰富的客户资源。
在欧美等国家逐渐加大对中国半导体产业封锁的背景下，公司积极响应国家关于半导体芯片行业自立自强的号召，自2019年开始就确立了向上游半导体芯片研发领域转型升级，打造设计、制造及销售为一体的半导体芯片全产业链的战略规划。凭借丰富的客户资源，结合自身领先的半导体研发、设计及生产环节的综合优势，公司有望在较短时间内成为国内半导体领域的IDM领先企业，随着行业国产替代风口来临之际，英唐集团先发优势明显。
公司取得国际国内各类专利近135件，其中发明专利近37项、实用新型专利44余项、软件著作权近137项。
在董事会、管理层、全体员工的共同努力下，公司将加大研发投入和市场拓展，在中小企业运营从个体孤岛向万物互联转变的时代浪潮中，成为市场和行业的领导者。
碳化硅功率模块的优点
Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和封装技术的优点。得益于多种封装优化，碳化硅的各种优点得以充分利用。
碳化硅功率模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。
碳化硅功率模块的关键特性
更高的开关频率，够优化滤波元件并降低其成本
冷却设备更紧凑，降低功率损耗，从而提升效率并降低系统成本和规模
最新的碳化硅SiC MOSFET芯片
标准工业封装，按照碳化硅的要求进行优化：电感，低热阻
针对实际应用优化芯片组
碳化硅功率模块的应用
太阳能逆变器：升压电路和逆变器应用
储能系统：大效率和低噪声
UPS：高效双转换系统
电机驱动器：主动前端与电机侧（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全桥和半桥）
电源：牵引应用、感应加热等的助电源
领先的芯片和封装技术，实现最大能效
混合碳化硅模块：功率损耗降低50%，用简便
IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合
几乎没有二极管损耗，并显著减少IGBT开关损耗
高速IGBT和碳化硅肖特基二极管使关损耗降低50%
轻松实现成本优化的碳化硅解决方案：动器或系统无需进行重大设计变更，使用的碳化硅芯片面积小，能够限制成本
SiC MOSFET功率模块主要应用：太阳能逆变器，储能系统，大功率汽车充电站，高效、高速电机驱动。 |
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